| 专利名称 | 纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法 | 申请号 | CN200910045556.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101475140 | 公开（授权）日 | 2009.07.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨永亮;李昕欣 | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;G01L1/18(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法 至纳米尺度下界面陷阱产生的巨压阻及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及纳米尺度下界面陷阱作用产生的巨压阻效应以及纳米巨压阻 的制作方法，属于微电子机械系统领域。本发明所述巨压阻的具体特征是压 阻的厚度在纳米量级，压阻效应来源于硅和二氧化硅处界面的电子陷阱效应。 传统体硅的压阻效应来源于应力下载流子迁移率的改变，而本发明所述的纳 米尺度下的巨压阻是在应力作用下硅和二氧化硅处界面的电子陷阱作用改变 载流子的浓度产生的。随着压阻厚度的减小，界面效应占的比例越大，界面 陷阱产生的压阻效应也越明显。本发明制作的压阻具有压阻系数大，横向压 阻和纵向压阻电阻值变化相同，和半导体工艺兼容的优点，可以运用于传感 器和微电子机械系统中。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障