| 专利名称 | 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 | 申请号 | CN200710304220.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101471421 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘琦;刘明;龙世兵;贾锐;管伟华 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 至二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发 电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极； 一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄 膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡 族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、 低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发 明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面 CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 |
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