| 专利名称 | 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 | 申请号 | CN200710303895.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101471260 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 黎明;徐静波;付晓君 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 至适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT器件的栅退火方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种适用于增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT 器件的栅退火方法，该方法包括：采用湿法腐蚀形成隔离台面，然后 光刻栅条；蒸发Ti/Pt/Au栅金属结构，接着常规剥离形成金属图形； 最后在高温快速退火炉内，在氮气气氛下退火，温度范围为280至320 度，时间为10至40分钟，形成增强型器件栅极。利用本发明，解决 了DCFL IC的逻辑摆幅Vm小(受势垒高度的固有限制)的问题，达 到了精确控制E-HEMT域值电压Vth的目的，成功制作了稳定一致的 增强型器件，保证了增强型器件域值电压在零以上，确保了E/D型器 件及其逻辑电路正常工作。 |
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