| 专利名称 | 低压低功耗的CMOS电压基准参考电路 | 申请号 | CN200710304219.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101470459 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王晗;叶青 | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 专利有效期 | 低压低功耗的CMOS电压基准参考电路 至低压低功耗的CMOS电压基准参考电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低压低功耗的CMOS电压基准参考电路，用于 产生一基准电压，该CMOS电压基准参考电路包括一启动电路11，一 自偏置电流源12，一具有负温度系数的电压产生器13、一基准电压调 节器14，以及一单管电流镜MOS晶体管M0。该电路采用工作在亚阈 值区的MOS晶体管来产生具有负温度系数的电压，同时利用工作在亚 阈值区的MOS晶体管的套筒和折叠结构代替电阻放大具有正温度系 数的电压，使其与具有负温度系数的电压相抵消，从而产生了与温度 无关的基准电压。本发明的基准电路由于消除了电阻、电容等无源器 件以及运算放大器的使用，大大减小了电路的元件数目和静态工作电 流，从而减小了电路的功耗和面积。 |
1、源头对接，价格透明
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