| 专利名称 | 带隙基准电压参考电路 | 申请号 | CN200710303891.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101470458 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王晗;叶青 | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 专利有效期 | 带隙基准电压参考电路 至带隙基准电压参考电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种带隙基准电压参考电路，该电路包括：一VBE 电压产生器(11)，该VBE电压产生器(11)包括一个用于产生两支路 参考电路的自偏置电流源(111)，以及耦合于该自偏置电流源(111) 的用于产生两路VBE电压的偏置发生器(112)；一基准电压调节器(12)， 该基准电压调节器(12)包括运算跨导放大器(121)和基准电压调节 单元(122)，用于产生一个恒定的基准电压。本发明利用亚阈值工作 区的晶体管来代替电阻放大具有正温度系数的电压，从而降低了带隙 基准电压参考电路的功耗和成本。 |
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