| 专利名称 | 制具有纳米尺度的大面积由金属膜覆盖的金属结构的方法 | 申请号 | CN200710304371.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101470355 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 杨海方;顾长志;夏晓翔;金爱子;罗强;李俊杰 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/038(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/36(2006.01)I | 专利有效期 | 制具有纳米尺度的大面积由金属膜覆盖的金属结构的方法 至制具有纳米尺度的大面积由金属膜覆盖的金属结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种制作具有纳米尺度的大面积由金属膜覆盖的金属结构的 方法，采用清洗干净的基片，在该基片上涂覆底层电子束抗蚀剂PMMA，经前 烘再旋涂顶层抗蚀剂HSQ层，根据所需的金属结构图形进行图形曝光；再对曝 光图形显影及定影；进一步反应离子刻蚀产生具有底切结构的抗蚀剂结构；金 属层的沉积和利用溶脱剥离工艺实现最终的金属结构。该方法采用目前分辨率 最高的负性电子束抗蚀剂HSQ及剥离效果好的正性电子束抗蚀剂PMMA相结合 的双层抗蚀剂工艺，并且通过控制刻蚀的条件来精确的控制双层抗蚀剂的剖面 结构，形成有利于剥离的具有底切结构的负性抗蚀剂图形。该方法是一种高效 具有加工时间短、分辨率高、可靠的在基片上制作大面积金属覆盖纳米尺度结 构的方法。 |
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