| 专利名称 | 等离子增强化学气象沉积设备的控制方法 | 申请号 | CN200710159306.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101469418 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 沈阳中科博微自动化技术有限公司;中国科学院沈阳自动化研究所 | 发明（设计）人 | 于海斌;王宏;林跃;徐皑冬;周建辉;康凯;刘明哲;胡河春 | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 专利有效期 | 等离子增强化学气象沉积设备的控制方法 至等离子增强化学气象沉积设备的控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于控制系统技术，具体地说是一种等离子增强化学气象沉积 设备的控制方法。它包括设备初始化控制、晶圆加工流程控制、设备异常 报警控制，其中：设备初始化控制步骤为启动设备电源，打开报警监控， 并发送传片腔和反应腔的初始化指令；晶圆加工流程控制步骤为导入工艺 配方，使用批或层配方进行加工初始化、晶圆加工和加工结束控制；设备 异常报警控制实现对设备异常和故障的监控，通过异常预处理机制和报警 应答处理机制，对设备报警进行分步处理。采用本发明可实现对化学气象 沉积的非常精确的工艺控制，能够满足半导体器件制造过程中的工艺要求。 |
1、源头对接，价格透明
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