| 专利名称 | 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 | 申请号 | CN200710303894.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101469414 | 公开（授权）日 | 2009.07.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘训春;周宗义;李兵;张育胜;王佳;张永利 | 主分类号 | C23C16/505(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/505(2006.01)I | 专利有效期 | 平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 至平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应 室结构，涉及微电子技术，是由内真空室与外腔室嵌套组成；内真空室上 段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接；内真空室上段的顶壁外 侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接，以堵转电机控制内真空室上段 的升降；内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与 内真空室下段的侧壁不接触，避免载片台上的热量向外壁传导，以便载片 台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的 影响，明显地改善淀积薄膜的质量，降低粉尘；有利于提高衬底温度和新 材料的生长。 |
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