| 专利名称 | 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法 | 申请号 | CN200810205004.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101465383 | 公开（授权）日 | 2009.06.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 专利有效期 | 肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法 至肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶 硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层 为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属 层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过 多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上 具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。 |
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