| 专利名称 | 包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料 | 申请号 | CN201010170373.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924502A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 通用汽车环球科技运作公司;中国科学院上海陶瓷研究所 | 发明（设计）人 | J·杨;X·施;S·白;W·张;L·陈;J·杨 | 主分类号 | H02N11/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H02N11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料 至包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及包括多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构的热电材料。一种热电材料，其包括具有如下通式的多种过渡金属掺杂的I型包合物晶体结构：在公式中，A选自钡，锶，和铕；X选自硅，锗，和锡；M选自铝，镓，和铟；TM1，TM2和TMn各自选自3d、4d和5d过渡金属；y1，y2，yn和Z分别是TM1，TM2，TMn和M的实际组成。所述实际组成基于得自下面方程的名义组成：z＝8·qA-|Δq1|y1-|Δq2|y2-...-|Δqn|yn其中，qA是A的电荷态，Δq1，Δq2，Δq3分别是第一，第二和第n个TM的名义电荷态。 |
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