| 专利名称 | 一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法 | 申请号 | CN200910087347.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924142A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董军荣;杨浩;吴如菲;黄杰 | 主分类号 | H01L29/93(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/93(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法 至一种GaAs肖特基变容二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs肖特基变容二极管，该GaAs肖特基变容二极管包括：用于支撑整个GaAs肖特基变容二极管的GaAs绝缘衬底；在该GaAs绝缘衬底上外延生长的高掺杂N+层，在N+层上继续外延生长的普通掺杂的N型层；经过挖岛、隔离两个工艺步骤，在N型层、N+层上形成的台面结构；在N型层上蒸发金属形成肖特基接触的上电极；以及在N+层上蒸发金属形成欧姆接触的下电极。本发明同时公开了一种GaAs肖特基变容二极管的制作方法。利用本发明，在不改变肖特基二极管特性的前提下采用平面制造工艺，减小了器件体积，提高了集成度。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障