| 专利名称 | 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 | 申请号 | CN201010212125.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924138A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 肖德元;王曦;黄晓橹;陈静 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 至防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用SiSiGeSi外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。 |
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