| 专利名称 | 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 | 申请号 | CN201010172878.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924069A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 马小波;张挺;刘卫丽;宋志棠;刘旭焱;杜小锋 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 至一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的薄膜转移到衬底晶圆上。随后在转移后的晶圆上进行刻蚀、薄膜沉积和化学机械抛光等工艺得到所需的二极管单元、加热电极、电阻转换存储单元及上电极等。本发明中二极管结构层薄膜的转移可以重复实施，从而可集成得到多层1D1R结构存储单元，多层结构中的垂直互连可以有效减少互连线的RC延迟，因此本发明制备三维电阻变换存储结构的方法可以适用于高密度、高速存储芯片设计。 |
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