| 专利名称 | 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 | 申请号 | CN201010231639.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101924030A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 | 发明（设计）人 | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 至一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。本发明抑制了界面层生长，有利于高k栅介质等效栅氧厚度的减薄，提高了高k栅介质的结晶温度，减少了界面层厚度和界面态密度，改善了高阻SOI上高k栅介质的电学性能。 |
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