| 专利名称 | 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法 | 申请号 | CN201210254017.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102737963A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;母志强;薛忠营;陈达;狄增峰;王曦 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法 至一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si（0≤x<1）超晶格结构，然后于超晶格结构上依次生长Si缓冲层及SizGe1-z层，接着将H或He等离子注入至Si衬底并进行快速退火处理，使所述超晶格结构吸附上述离子，最终得到低缺陷密度、高弛豫度的SizGe1-z层。与具有氧化层的Si衬底键合，并通过智能剥离可以制备低缺陷密度、高弛豫度的SGOI；在得到的弛豫SizGe1-z层上外延小于临界厚度的应变硅，通过智能剥离的方法可以制备高应变度、低缺陷密度的绝缘体上的应变硅（sSOI）。本发明通过超晶格吸附离子增加了离子注入制备弛豫SiGe材料的稳定性，获得了低缺陷密度、高弛豫度的SiGe材料，降低了工艺难度，适用于工业生产。 |
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