| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110090704.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102738233A | 公开（授权）日 | 2012.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；衬底中的场效应晶体管；场效应晶体管上的第一层间介质层，所述第一层间介质层为应力介质材料；第一层间介质层上的第二层间介质层。利用场效应晶体管上的为应力介质材料的第一层间介质层，增加对场效应晶体管器件的应力作用，通过提高作用空间的体积来增强对器件的应力，解决由于空间减小不能满足器件应力需求的问题。 |
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