| 专利名称 | 一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法 | 申请号 | CN200710179369.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101459223 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;刘明;涂德钰;甄丽娟;刘舸;刘兴华 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法 至一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法，包 括：在基片上淀积绝缘层薄膜；在所述绝缘层薄膜上沉积金属下电极 层；在所述金属下电极层上制备双稳态有机分子薄膜层；在所述有机 分子薄膜层上沉积金属保护层；在所述金属保护层上旋涂抗蚀剂，光 刻得到下电极的胶图形层；采用所述胶图形层掩蔽刻蚀金属保护层、 有机分子薄膜层和金属下电极层；去除光刻胶层；采用镂空掩膜版制 备金属上电极层。利用本发明，由于事先刻蚀了保护层，避免了刻蚀 保护层时等离子体对上电极的损伤；采用水溶性光刻胶，避免了通常 去除光刻胶过程中有机溶剂对有机高分子材料的损伤；并减少了工艺 步骤，提高了加工效率，解决了该有机材料与微电子工艺的兼容性问 题。 |
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