| 专利名称 | 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 | 申请号 | CN200810207298.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101459129 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 至自对准肖特基二极管及相应电阻转换存储器制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺 步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形 成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发 明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。 |
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