| 专利名称 | 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 | 申请号 | CN200710179353.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101459080 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李诚瞻;魏珂;郑英奎;刘果果;和致经;刘新宇;刘键 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 至一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对 GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对 准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图 形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻 形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅 保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子 束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料 层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料 表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染， 抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。 |
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