| 专利名称 | 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 | 申请号 | CN200710179354.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101458337 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;韩郑生;赵超荣;刘刚 | 主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01T1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 至基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的 可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导 体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、 漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制 作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同 方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型 的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与 各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以 增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时 间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障