| 专利名称 | 基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器 | 申请号 | CN201110120147.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102779892A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;杜骏杰;陈静;王曦;邹世昌 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;G02B6/34(2006.01)I | 专利有效期 | 基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器 至基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案。 |
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