| 专利名称 | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | 申请号 | CN200810051635.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101457403 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 杨秀荣;孙明 | 主分类号 | C30B29/48(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/48(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C01G11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 至尺寸可控半导体纳米簇和纳米晶的绿色合成方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了尺寸可控的硒化镉纳米簇和纳米晶的绿色合成方 法。该方法采用一系列低毒/经济的配体，使用分散在非配位溶剂中 的硒单质和氧化镉为前体，在非配位溶剂中合成了硒化镉纳米簇和纳 米晶。通过调节配体与前体的比例，尺寸可调节范围为0.7nm-13nm。 所得到的纳米晶参数有高的结晶度，窄的尺寸分布fwhm＝25±2nm， 相对高的荧光量子效率为5％-38％，荧光发射光谱调节范围为 450nm-690nm。 |
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