| 专利名称 | 改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法 | 申请号 | CN201110074395.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102693916A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法 至改进MOSFETs镍基硅化物热稳定性的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于有效提高镍基金属硅化物热稳定性的方法，包括：在重掺杂源漏区中形成非晶层；对所述非晶层进行掺杂离子注入；退火以形成重结晶层，所述掺杂离子固定在所述重结晶层内；在所述重结晶层上形成镍基金属硅化物。由于采用了预非晶化再注入掺杂离子随后再退火重结晶的工艺，使得注入的掺杂离子被类似于“固定”或“冻结”在重结晶层中，也即在稍后的镍基金属硅化物形成过程中，这些掺杂离子不会因为离子注入时经常发生的隧道效应而进入沟道区，从而大幅提高了镍基金属硅化物热稳定性，且不会恶化器件性能。 |
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