| 专利名称 | 一种具有周期结构的半导体及其制备方法 | 申请号 | CN201210174632.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102693900A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 姜海涛;魏星;张苗;狄增峰;武爱民;母志强 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种具有周期结构的半导体及其制备方法 至一种具有周期结构的半导体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。 |
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