| 专利名称 | 感应栅型非晶态金属氧化物TFT气体传感器 | 申请号 | CN201110117657.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102778481A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;陈大鹏 | 主分类号 | G01N27/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/04(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 专利有效期 | 感应栅型非晶态金属氧化物TFT气体传感器 至感应栅型非晶态金属氧化物TFT气体传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种感应栅型TFT气体传感器，包括：衬底；源漏电极，形成在所述衬底上；TFT导电薄膜，形成在所述衬底以及所述信号检测电极上；栅绝缘介质层，形成在所述衬底以及所述TFT导电薄膜上；顶栅电极，形成在所述栅绝缘介质层上；其特征在于，所述TFT导电薄膜包括非晶态氧化物半导体，以及所述顶栅电极包括气敏金属氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为TFT导电薄膜且使用了气敏金属氧化物半导体层作为顶部栅电极，结合非晶态氧化物TFT的优异均匀导电特性与高敏感金属氧化物的气体吸附与反应特性的各自优点，可以对环境气体实行高敏度监控并实现在线有源放大信号变化，由此形成高灵敏大面积低成本单片集成的气体传感器。 |
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