| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201190000097.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202534635U | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;钟汇才;朱慧珑;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，所述半导体器件包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅堆叠结构，所述硅基底的晶面指数为{100}；形成层间介质层，覆盖所述硅基底的表面；在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向<110>且垂直于所述栅堆叠结构的延伸方向；在所述第一沟槽中填充第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层。本实用新型以较简单的工艺在沟道宽度方向引入张应力，提高了器件的响应速度，改善了器件性能。 |
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