| 专利名称 | 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器 | 申请号 | CN201220104052.X | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202534671U | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘福浩;许金通;李向阳;王荣阳;刘秀娟;陶利友;刘诗嘉;孙晓宇 | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器 至基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种基于图形化蓝宝石衬底的GaN基PIN探测器，其结构为在图形化蓝宝石衬底上生长较厚缓冲层，包括低温缓冲层生长、重结晶、三维生长和二维生长，获得质量良好的GaN薄膜材料。再依次生长n+型GaN层、本征GaN层，p型GaN层。在p层表面淀积p欧姆接触电极，将p型薄膜层和本征层刻蚀至n+型薄膜层，刻蚀台面形状为圆形、方形或六边形，在n+型层上淀积n型欧姆接触电极，n型电极为环形或方形。生长钝化层并开孔，暴露出p、n型电极，最后在p电极与n电极上生长加厚电极。本专利方法所制备的器件，生长材料质量较高，位错、缺陷密度小，器件的暗电流小，性能稳定，反偏电压下暗电流几乎不变，量子效率却得到大幅提高。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障