| 专利名称 | 一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法 | 申请号 | CN201210196884.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102691103A | 公开（授权）日 | 2012.09.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 承刚;李京波;李永涛;董珊 | 主分类号 | C30B29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/20(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法 至一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法，包括化料、引晶和晶体生长三个阶段，该方法在化料及引晶阶段采用电压控制方式，在晶体生长阶段采用功率控制方式。本发明通过双重控制技术，在晶体生长的各种情况下，对生长进行控制和干预，将有效的减少外网波段等电流波动得影响，同时保证了引晶阶段快速的温场调节需要，在保证了引晶的成功率的基础上，减少了晶体回熔、粘锅等电流波动造成的不稳定生长状态，生长出外径一致的高利用率，提高了蓝宝石晶体的成品率和利用率。 |
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