| 专利名称 | 可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 | 申请号 | CN201110117658.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102778479A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 殷华湘;陈大鹏 | 主分类号 | G01N27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/02(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I | 专利有效期 | 可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 至可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 可集成的非晶态金属氧化物半导体气体传感器，本发明提供了一种气体传感器，包括：衬底；加热电极，形成在所述衬底上；信号检测电极，形成在所述衬底上，与所述加热电极共面；气体敏感探测薄膜，形成在所述衬底、所述加热电极以及所述信号检测电极上；其特征在于，所述气体敏感探测薄膜包括非晶态氧化物半导体。依照本发明的气体传感器，由于采用了非晶态半导体作为气体敏感探测薄膜，使得气体传感器可以采用半导体标准制造工艺，降低了成本，提高了器件的均匀性、响应速度，降低了工作温度和功耗，因此可以高效低成本大面积地集成。 |
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