| 专利名称 | GaN基LED网孔电极的制作方法 | 申请号 | CN201210174972.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102709433A | 公开（授权）日 | 2012.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王家鑫;吴奎;曾一平 | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | GaN基LED网孔电极的制作方法 至GaN基LED网孔电极的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。具有电极的接触电阻小、透过率高、出光效率高以及电流分布均匀的优点。 |
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