| 专利名称 | 高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN200810205227.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101456732 | 公开（授权）日 | 2009.06.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 李玉臣;姚烈;朱怀志;董显林;张仲猷 | 主分类号 | C04B35/49(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/49(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/472(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/12(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I | 专利有效期 | 高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法 至高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与 制备领域。本发明的其组成式为： xPbZrO3+yPbTiO3+zPbNbO3+mSrTiO3+nLaTiO3+awt.％SiO2+bwt.％Cr2O3+cw t.％Nb2O5+d wt.％La2O3；其中，x＝0.4～0.6；y＝0.4～0.5；z＝0.001～0.05；m＝0.0～0.05； n＝0.01～0.05；x+y+z+m+n＝1；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。本发明在传 统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，主要性能为：d33＝500pC/N，ε33T/εo＝1800， g33＝31.4、tgδ＝1.5，Kp＝0.62、Qm＝60，Tc＝352℃，ρv(200℃)＝7.8×108Ω·cm；本发 明材料具有使用温度高(可达200℃)、灵敏度(g33＝31.4)高、接收信号强，稳 定性好的特点。 |
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