| 专利名称 | 阻变存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201110075379.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102708919A | 公开（授权）日 | 2012.10.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;刘明;刘琦;吕杭炳;牛洁斌;王艳花;李颖弢;张森;王艳;连文泰;张康玮;王明;张满红;霍宗亮;谢常青;刘璟;余兆安;李冬梅 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 专利有效期 | 阻变存储器及其制造方法 至阻变存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存储介质层内纳米电极附件的局部电场强度，从而使导电细丝能够沿着该纳米电极形成，这样有效控制了导电细丝形成数量以及导电细丝形成和断开的路径，从而解决了导电细丝随机形成的问题，使器件的编程电压具有集中性，提高了器件工作的稳定性。 |
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