| 专利名称 | 一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 | 申请号 | CN201210289657.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102779837A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 陈静;伍青青;罗杰馨;柴展;余涛;王曦 | 主分类号 | H01L29/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/08(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 至一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构非对称的NMOS晶体管组成，所述源漏结构非对称NMOS晶体管的源极结构具有袋区及浅掺杂延伸区，而漏极结构不具有袋区及浅掺杂延伸区。本发明采用了具有非对称结构的传输门N型晶体管，通过去掉漏极的浅掺杂延伸区（LDD）和袋区（Pocket）引入的非对称，不改变器件加工工艺，不额外增加版图，不破坏器件使用寿命，且由此引起的电学非对称性明显优于现有的结构。本发明工艺简单，有利于降低成本，适用于工业生产。 |
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