| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201110121071.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102779751A | 公开（授权）日 | 2012.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅堆叠，所述栅堆叠包括栅介质层和牺牲栅电极层，其中，所述栅介质层位于所述半导体衬底上，所述牺牲栅电极层位于所述栅介质层上；环绕所述栅堆叠形成侧墙；在所述栅堆叠两侧且嵌入所述半导体衬底形成源/漏区；在所述半导体衬底上形成SiO2层，在所述SiO2层上旋涂旋转涂布玻璃(SOG)，并进行平坦化至所述牺牲栅电极层露出；去除所述牺牲栅电极层以在所述侧墙内形成开口；在所述开口内形成替代栅电极。 |
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