| 专利名称 | 电容式微加速度传感器及其单片制作方法 | 申请号 | CN201210236528.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102721829A | 公开（授权）日 | 2012.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 车录锋;周晓峰;林友玲;王跃林 | 主分类号 | G01P15/125(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/125(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电容式微加速度传感器及其单片制作方法 至电容式微加速度传感器及其单片制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法，所述加速度传感器为三明治结构，其制作方法不需要键合工艺，直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构，且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁，无需采用凸角补偿的结构就可保证最终的质量块为矩形结构，使得预期的器件结构在完成各向异性腐蚀后，能完整保留，器件具有高度法向的对称性。所述制作方法简化了制作三明治结构电容式加速度传感器的工艺，避免了繁琐的键合工艺，降低了制作工艺的难度，提高了工艺效率和可靠性。同时，该方法极大的降低了制造成本，提高了加速度传感器器件性能及器件成品率。 |
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