| 专利名称 | 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 | 申请号 | CN200710178775.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101452844 | 公开（授权）日 | 2009.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李维龙;贾锐;陈晨;刘明;陈宝钦;谢常青;龙世兵 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 至制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用电子束蒸发方式制备埋嵌硅纳米晶的高介 电常数栅介质的方法，该方法包括：在衬底上生长二氧化硅隧穿介质 层；将高介电常数栅介质的固体粉末和硅粉末的混合物通过电子束蒸 发技术蒸发至该二氧化硅层上；高温热退火。采用该方法制备的高介 电常数栅介质埋嵌的硅量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于纳米 晶浮栅存储器的制作等。这种方法具有工艺步骤少、简单、稳定可靠、 易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容的优点。 |
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