| 专利名称 | 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 | 申请号 | CN200710178771.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101452843 | 公开（授权）日 | 2009.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴茹菲;张海英;尹军舰 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 至一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用 Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下 将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。 利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p 型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10-6Ω·cm2。 |
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