| 专利名称 | 一种制备用于离子注入的对准标记的方法 | 申请号 | CN200710178772.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101452819 | 公开（授权）日 | 2009.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴茹菲;尹军舰;张海英 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备用于离子注入的对准标记的方法 至一种制备用于离子注入的对准标记的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备用于离子注入的对准标记的方法，该方法 包括：在进行离子注入之前进行刻蚀，在待注入区形成用于离子注入 的对准标记。所述刻蚀的图形与离子注入的图形相同。所述刻蚀采用 的光刻掩膜版与离子注入采用的光刻掩膜版相同。利用本发明，解决 了离子注入过程不能为下一步工艺提供对准标记图形的问题，而且无 需另外制备光刻掩膜版，简单易行，实现成本低。 |
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