| 专利名称 | 栅下体引出高可靠LDMOS功率器件 | 申请号 | CN201210103801.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623507A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 栅下体引出高可靠LDMOS功率器件 至栅下体引出高可靠LDMOS功率器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 公开了一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，包括：在LDMOS功率器件的LDMOS栅的下方注入有体注入区；通过体引出引出并抽取所述体注入区附近载流子，控制所述体注入区附近电位。本发明提供的一种栅下体引出高可靠LDMOS功率器件，通过栅变形或者STI隔离等手段，在LDMOS功率器件的栅下注入形成体接触区域并通过金属有效引出，抽取栅下体接触区附件载流子，控制栅下体接触区附件电位，抑制了因体电位升高而导致的漏电流升高，避免了由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。 |
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