| 专利名称 | 一种半导体存储器件的复位方法 | 申请号 | CN201110028102.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623059A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 冀永辉;丁川;王凤虎;刘明 | 主分类号 | G11C16/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体存储器件的复位方法 至一种半导体存储器件的复位方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器件的复位方法，属于存储器技术领域。所述方法包括：对半导体存储器件进行擦除操作，将所述半导体存储器件的阈值电压降低至预设电压Vref以下；执行第一轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref）范围内；执行第二轮软编程操作，将所述半导体存储器件的阈值电压调整至（Vref-0.5，Vref+0.05）范围内。通过本发明的复位方法，有效地解决了半导体存储器件复位速度和复位精度之间的矛盾，一方面提高了半导体存储器件的复位速度，另一方面使得复位后的半导体存储器件阈值电压分布范围大大减小。 |
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