| 专利名称 | 一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法 | 申请号 | CN201210068382.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102618849A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 孟祥敏;黄兴 | 主分类号 | C23C16/448(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/448(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法 至一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好，且SnO2包覆均匀。制备出的ZnO/SnO2一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。 |
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