| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201110031550.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623431A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 闫江 | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/525(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件，电可编程熔丝的阳极接触位于绝缘层正上方，阴极接触并不位于绝缘层正上方，因此熔丝线路与硅衬底之间并无绝缘层的阻挡，熔丝线路更容易产生电迁移，这使电可编程熔丝具有更好的可编程能力，同时，绝缘层可以阻挡扩散至硅衬底的热量；另外，仅通过调整电可编程熔丝在版图中位置，即可获得本发明的结构，并未增加工艺步骤和掩模板数目，节省了生产成本。 |
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