| 专利名称 | 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 | 申请号 | CN201110030283.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623336A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;陈中子;陈晓娟;刘新宇;罗卫军;庞磊 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 至一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs?pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障