| 专利名称 | 基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法 | 申请号 | CN200710178776.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101450787 | 公开（授权）日 | 2009.06.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 石莎莉;陈大鹏;欧毅;景玉鹏;叶甜春 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法 至基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于硅衬底制作绝热防粘连空腔的方法，该方 法包括：在硅衬底上表面淀积SiNX薄膜；光刻，刻蚀该SiNX薄膜， 形成腐蚀窗口；腐蚀所述形成腐蚀窗口的硅衬底上表面，形成带硅突 点的空腔；在硅衬底上表面淀积SiNX薄膜，密封腐蚀窗口。本发明提 供的方法工艺步骤简单，成本低廉，生产效率高，工艺稳定，具有很 强的实用价值，能够适应大规模生产的要求。 |
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