| 专利名称 | 一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元 | 申请号 | CN200810227127.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447778 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈勇;周玉梅 | 主分类号 | H03H11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H11/04(2006.01)I;H03H11/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元 至一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差 分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器， 包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二 阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点 特性；一反相前馈电容元件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q 值；一同相前馈电容元件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点 特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技 术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。 |
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