| 专利名称 | 一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN201210093595.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610753A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吕士龙;宋志棠 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法 至一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法，通过特殊方法将单层石墨烯转移到硅片衬底上制作成石墨烯电极对，并在电极对上制备相变材料，再经制备接触电极和测试电极后完成器件的制作，本发明提出了一种新的电极材料，即石墨烯纳米材料，由于石墨烯为单层碳原子结构，故与相变材料接触时有效接触面积将比目前光刻技术可以达到的极限尺寸小的多，从而达到了充分降低器件操作电流以及功耗的目的。 |
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