| 专利名称 | 垂直腔面发射激光器列阵的串接结构 | 申请号 | CN200810051624.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447647 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 史晶晶;王立军;秦莉;刘云;宁永强 | 主分类号 | H01S5/42(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/42(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I | 专利有效期 | 垂直腔面发射激光器列阵的串接结构 至垂直腔面发射激光器列阵的串接结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构，涉及光电 子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激 光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明 实现了VCSEL列阵的串接，结构紧凑，所有的引线都分布在外侧，VCSEL列阵 芯片排列紧密，有效的发光面积大，发光密度大。在不提高驱动电流的前提下 进一步提高VCSEL列阵的输出功率，拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高 导热材料做为热沉散热，又使用热传导效率较高的焊料，加之VCSEL列阵芯片 的工作方式是脉冲工作，因此，基本解决了散热问题。 |
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