| 专利名称 | 管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN200810227455.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447552 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 至管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了管状栅电极垂直沟道有机场效应晶体管，属于有机微电子学领域。 该器件包括绝缘衬底上的源电极、介质层、半导体层、管状栅电极以及金属漏电极。 其中器件的栅电极为管状，包裹在中心区的有机半导体层外围。栅电极和有机半导体 层之间通过栅介质互相隔离开。源电极和漏电极均为平面电极，分别位于器件的底部 和顶部，通过介质层和栅电极分离。本发明提供的器件结构通过把沟道方向从水平转 变为垂直，只需要控制薄膜的生长厚度就能够有效控制器件的沟道长度，避免了昂贵 的电子束光刻，是一种低成本的短沟道有机场效应晶体管。同时本发明还提供了这种 器件的制备方法。 |
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