| 专利名称 | 一种集成电路版图结构及其制造方法 | 申请号 | CN200810224782.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447473 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 阮文彪;陈岚;李志刚 | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/522(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种集成电路版图结构及其制造方法 至一种集成电路版图结构及其制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域的一种集成电路版图结 构及其制造方法。为了解决现有技术中化学机械研磨后集成电路版图细线区铜 金属残留的问题，本发明提供一种集成电路版图结构及其制备方法，通过增加 细线区线间距，使细线区的铜生长厚度下降，不同结构铜生长比较均匀，从而 减轻了化学机械研磨的负担，提高平坦化能力，避免细线区产生的热点问题， 提高了产品的良率。 |
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