| 专利名称 | 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 | 申请号 | CN200710178321.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447485 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英;叶甜春 | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 至单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结 构，该结构由GaAs基PHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基PHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层AlAs隔开； 所述GaAs基PHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、十个周期的Al0.22Ga0.78As/GaAs超晶格层、沟道下势垒层 Al0.22Ga0.78As、沟道层In0.2Ga0.8As、空间隔离层Al0.22Ga0.78As、平面掺 杂层、势垒层Al0.22Ga0.78As、N型高掺杂盖帽层GaAs构成；所述N型 高掺杂腐蚀截止层AlAs在所述N型高掺杂盖帽层GaAs上分子束外延 生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层AlAs上依次 分子束外延生长的N型高掺杂层GaAs、不掺杂层GaAs、P型掺杂层 GaAs构成。本发明将GaAs基PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬 底上，实现单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管。 |
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